一、设备型号、关键性能参数

设备型号：UHV-PECVD

关键性能参数：

• 反应气体：SiH₄、NH₃、Ar、N₂、CF₄、O₂、N₂O

• 可沉积的半导体材料：该台UHV-PECVD用于半导体材料的钝化、保护、以及增强半导体器件的热和化学稳定性等，目前主流的半导体材料Si基，GaN基等都可以用UHV-PECVD来钝化、保护，增强器件稳定性。

• 最大可加工样品尺寸：2英寸；

二、设备原理

UHV-PECVD工作原理，在真空条件下，加在电极板上的射频电场，使生长室的气体发生辉光放电，在辉光放电区域产生大量的电子。产生的电子在电场作用下获得充足的能量，这种电子温度很高，在与反应气体发生碰撞使，反应气体活化。他们吸附在衬底上并在衬底上淀积薄膜，副产物和多余的气体被真空泵抽走。沉积过程中会伴有氢原子和氢离子产生，使得晶片的氢钝化效果良好。

四、应用范围

可以生长SiOx,SiNx等绝缘薄膜材料。

五、设备特色

加热板可实现室温到450℃的温度控制，满足低温到中高温钝化层和介质层需求；光谱分析系统，现场参数调整和处理状态监控。

六、应用领域

对Si基半导体器件，III-V半导体器件，以及其他半导体材料进行钝化保护以及介质层的生长。