关键参数：
Ø 高温生长腔
· 极限真空：优于5×10-11 mbar，包含L-N2冷屏、低温泵、离子泵、TSP、分子泵、干泵
· 蒸发源炉：4个，高温源×2，中温源×2
· Manipulator：垂直安装，支持最大2英寸wafer，温度RT~1000 ℃，可升降旋转，转速0-30 RPM，旋转精度优于0.5°
· 生长监测：RHEED、RGA、QCM
Ø 预处理腔
· 极限真空：优于1×10-10 mbar
· Manipulator：垂直安装，支持最大2英寸wafer，温度RT~1000 ℃，可升降旋转，转速0-30 RPM，旋转精度优于0.5°
· 离子预处理：Ar+ Sputter氩枪
Ø 应用范围
原子级精度的薄膜材料生长、拓扑量子器件原位构筑、低维材料生长、真空互联器件工艺
Ø 设备特色
· 低温水平放置Manipulator可满足最大2英寸wafer、温度50 K~300 K、偏转±45°材料生长；可实现线宽低至50 nm器件级无掩膜图形化功能
Ø 应用领域
· Si外延、低维/拓扑材料生长、量子阱生长等，其他的请与设备管理员沟通。
设备管理员：郭路安13866873990、冀连连18761927682
