一、设备型号、关键性能参数

型号：PJ-HF-100

HF气体流量范围：0 sccm ~ 750 sccm

工艺压力控制：1 Torr ~ 200 Torr

工艺腔本底真空：1×10^-6 mbar

热氧化SiO₂刻蚀速率：10~150 nm/min；PECVD SiO₂刻蚀速率 > 1000 nm/min

可刻蚀4英寸和2英寸样品

二、设备原理

氢氟酸（HF）是微加工中所有类型硅氧化物的理想刻蚀剂，因为它具备高刻蚀速率，并且对硅具有高选择性。HF刻蚀的一个典型应用是在微机电系统（MEMS）制造中去除氧化硅牺牲层。然而液相刻蚀剂由于表面张力的影响，存在可移动结构粘附到基底的高风险。HF气相刻蚀设备通过完全在气相中工作解决了这个问题，气相刻蚀剂也更容易渗透到更小的特征部位，并允许形成更长的底切。HF气相刻蚀设备非常适合用于表面微加工、SOI-MEMS工艺、无切割释放、结构减薄等应用。

三、应用范围

对SiO₂材料的选择性刻蚀

表面微加工、SOI-MEMS工艺、SiO₂牺牲层释放、结构减薄等

四、设备特色

纯气相刻蚀，解决传统湿法腐蚀过程产生的“粘连”效应

对Si、Al、Al₂O₃、SiC等具有高选择性

五、应用领域

主要应用于MEMS工艺、图形转移