仪器生产商： XXX
资产编号： SN201612495
资产负责人： ----
购买经办人： ----
主要配件： ----
主要参数： Substrate: 2 inch; Power supply: 1DC+1 RF Sputter gun: 4; Targets: Pd, Pt, Au, Ni, Ti, Cu, Cr, Al Gas type : N2 ,Ar ,O2 Sample heating temperature : < 400 °C Film uniformity : +/-5% Base pressure : <5E-9 Torr
仪器介绍：
一、关键参数
设备型号：
UHV Sputter System sputter-24
关键性能参数：
基片要求：2''，一次做一片样片；
电源：2个（1DC+1RF）；
靶位：4个（镍 铝 钯 钛）；
进气：N Ar O；
基片温度：室温至400℃；
薄膜均匀性≤±5%；
具备样品在真空管道与溅射腔室之间传送的功能；
设备本底真空：<5×10-7Pa
二、设备原理
超高真空磁控溅射技术是一种较为常用的物理沉积法。磁控溅射是在真空室中，利用低压气体放电现象，使处于等离子状态下的离子轰击靶表面，并利用环状磁场控制辉光放电，使溅射出的粒子沉积在基片上。磁控溅射可以方便的制取高熔点物质的薄膜，在很大面积上可以制取均匀的膜层。
三、应用领域
超高真空磁控溅射系统一般适用于高校和研究院所，为硅半导体和三五化合物半导体应用提供高性能的镀膜工艺。
主要仪器管理员： 王虎(电话:18896719689)
仪器管理员： 荣毅(电话:18100674227)
工作时间： 08:30-12:00;13:30-17:30
最小可预约时间段： 2 小时
最大可预约时间段： 168 小时
日历最小单位： 0.5 小时
最近提前预约时间： 未授权用户: 0小时； 普通资格用户: 0小时； 资深资格用户: 0小时
最远提前预约时间： 未授权: 720 小时 0 点； 普通: 720 小时 0 点； 资深: 720 小时 0 点
最大有效预约次数： 5 次/天
无代价撤销预约时间： 1440 分钟
| 用户资格 | 工作时间 | 非工作时间 |
|---|---|---|
| 未授权资格 | ||
| 普通资格 | ||
| 资深资格 |
| 序号 | 标题 | 文件数量 | 添加时间 | 操作 |
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